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1064nm APD

1064nm APD

Modelo: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Pequena descrição:

É o fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 1064nm.Responsividade: 36 A/W a 1064 nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Parâmetro técnico

Etiquetas de produtos

Recursos

  • Chip plano iluminado frontal
  • Resposta de alta velocidade
  • Alto ganho de APD

Formulários

  • Alcance do laser
  • comunicação a laser
  • Aviso de laser

Parâmetro fotoelétrico@Ta=22±3℃

Item #

Categoria do pacote

Diâmetro da superfície fotossensível (mm)

Faixa de resposta espectral

(nm)

 

 

Queda de tensão

(V)

Responsividade

M=100

λ=1064nm

(kV/W)

 

 

 

tempo de subida

(ns)

largura de banda

(MHz)

Coeficiente de temperatura

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Potência equivalente de ruído

(pW/√Hz)

 

Concentricidade (μm)

Tipo substituído em outros países

GD6212Y

 

 

TO-8

 

0,8

 

 

40~1100

350~500

150

8.8

40

2.2

0,15

≤50

C30950

GD6213Y

200

2

175

C30659-1060-R8BH

GD6219Y

3

280

7

50

2.4

0,27

C30659-1060-3A


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