Fotodiodo Si PIN de 1064nm
Recursos
- Estrutura iluminada frontal
- Baixa corrente escura
- Alta resposta
- Alta fiabilidade
Formulários
- Comunicação por fibra óptica, detecção e alcance
- Detecção óptica de UV a NIR
- Detecção rápida de pulso óptico
- Sistemas de controle para a indústria
Parâmetro fotoelétrico（@Ta=25℃）
| Item # | Categoria do pacote | Diâmetro da superfície fotossensível (mm) | Faixa de resposta espectral (nm) |
Comprimento de onda de resposta de pico (nm) | Responsividade (A/W) λ=1064nm
| tempo de subida λ=1064nm VR=40V RL=50Ω(ns) | corrente escura VR=40V (n / D) | Capacitância de junção VR=40V f=1MHz (pF) | Queda de tensão （V）
|
| GT102Ф0.2 | Coaxial tipo II,5501,TO-46 Tipo de tomada | Ф0.2 |
4～1100 |
980
| 0,3 | 10 | 0,5 | 0,5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0,5 | 10 | 1,0 | 0,8 | |||||
| GT102Ф1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5,0 | ||||
| GT102Ф4 | TO-8 | Ф4.0 | 20 | 5,0 | 12,0 | ||||
| GD3310Y | TO-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | TO-20 | Ф10,0 | 50 | 20 | 70 |
