Série de módulos 1064nmAPD

Modelo: GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Pequena descrição:

O dispositivo é um módulo de fotodiodo de avalanche de silício aprimorado de 1064nm com um circuito pré-amplificador embutido, que pode amplificar sinais de corrente fracos e convertê-los em saídas de sinal de tensão, realizando o processo de conversão de “amplificação de sinal óptico-elétrico”.

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Parâmetro técnico

CARACTERÍSTICAS

APLICATIVO

Etiquetas de produtos

Características fotoelétricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo	GD6212Y	GD6213Y	GD6219Y
forma de pacote	TO-8	TO-8	TO-8
Diâmetro da superfície fotossensível (mm)	0,8	0,8	3
Faixa de resposta espectral (nm)	400~1100	400~1100	400~1100
Tensão de ruptura (V)	350~500	350~500	350~500
Responsividade M=100 I=1064nm(kV/W)	150	200	280
Tempo de subida (ns)	8.8	2	7
Largura de banda (MHz)	40	175	50
Potência de ruído equivalente (pW/√Hz)	0,15	0,15	2.7
Coeficiente de temperatura da tensão de trabalho T=-40℃~85℃(V/℃)	2.2	2.2	2.4
Concentricidade (μm)	≤50	≤50	≤50
Modelos alternativos com o mesmo desempenho em todo o mundo	C30950	C30659-1060-R8BH	C30659-1060-3A

Estrutura de Chip do Plano Frontal

Frequência de resposta alta

Alta sensibilidade do detector

Alcance do laser

Lidar

Aviso de laser