Série de módulos InGaAS-APD

Modelo: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Pequena descrição:

O dispositivo é um módulo de fotodiodo de avalanche InGaAs com um circuito de pré-amplificador embutido, que pode converter o fraco.Depois que o sinal de corrente é amplificado, ele é convertido em uma saída de sinal de tensão para realizar o processo de conversão de "amplificação de sinal óptico-elétrico".

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Parâmetro técnico

CARACTERÍSTICAS

APLICATIVO

Etiquetas de produtos

Características fotoelétricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
forma de pacote	TO-8	TO-8	TO-8
Diâmetro da superfície fotossensível (mm)	0,2	0,5	0,08
Faixa de resposta espectral (nm)	1000~1700	1000~1700	1000~1700
Tensão de ruptura (V)	30~70	30~70	30~70
Responsividade M=10 l=1550nm(kV/W)	340	340	340
Tempo de subida (ns)	5	10	2.3
Largura de banda (MHz)	70	35	150
Potência de ruído equivalente (pW/√Hz)	0,15	0,21	0,11
Coeficiente de temperatura da tensão de trabalho T=-40℃~85℃(V/℃)	0,12	0,12	0,12
Concentricidade (μm)	≤50	≤50	≤50
Modelos alternativos com o mesmo desempenho em todo o mundo	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Estrutura de Chip do Plano Frontal

Resposta rápida

Alta sensibilidade do detector

Alcance do laser

Lidar

Aviso de laser