800nm APD
Recursos
- Chip plano iluminado frontal
- Resposta de alta velocidade
- Alto ganho de APD
- Baixa capacitância de junção
- Barulho baixo
Formulários
- Alcance do laser
- radar laser
- Aviso de laser
Parâmetro fotoelétrico（@Ta=22±3℃）
| Item # | Categoria do pacote | Diâmetro da superfície fotossensível (mm) | Faixa de resposta espectral (nm) |
Comprimento de onda de resposta de pico | Responsividade λ=800nm φe=1μW M=100 (A/W) | Tempo de resposta λ=800nm RL=50Ω （ns） | corrente escura M=100 (n / D) | Coeficiente de temperatura Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| capacitância total M=100 f=1MHz （pF）
| Queda de tensão IR=10μA （V） | ||
| Tipo. | máx. | mín. | máx. | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0,23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1,5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1,5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
