Série de tubo único 905nmAPD

Modelo: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

Pequena descrição:

O dispositivo é um fotodiodo de avalanche de silício, a resposta espectral varia da luz visível ao infravermelho próximo e o comprimento de onda de resposta de pico é de 905 nm.

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Parâmetro técnico

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APLICATIVO

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Características fotoelétricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Variedade
forma de pacote		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	embalagens de plástico	embalagens de plástico	PCB
Diâmetro da superfície fotossensível (mm)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	personalizado
Faixa de resposta espectral (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Comprimento de onda de resposta de pico (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Capacidade de resposta λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Corrente escura M=100(nA)	Típica	0,2	0,4	0,8	0,2	0,4	0,2	0,4	De acordo com a fotossensibilidade
Corrente escura M=100(nA)	Máximo	1,0	1,0	2.0	1,0	1,0	1,0	1,0	Um lado
Tempo de resposta λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	De acordo com a superfície fotossensível
Coeficiente de temperatura da tensão de trabalho T=-40℃~85℃(V/℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
capacitância total M=100 f=1MHz(pF)		1,0	1.2	2.0	1,0	1.2	1,0	1.2	De acordo com a superfície fotossensível
queda de tensão IR = 10μA(V)	Mínimo	130	130	130	130	130	130	130	160
queda de tensão IR = 10μA(V)	Máximo	220	220	220	220	220	220	220	200

Anterior: Série de tubo único 800nmAPD

Próximo: Série de tubo único 1064nmAPD

Estrutura de Chip do Plano Frontal

Resposta de alta velocidade

Alto ganho

Baixa capacitância de junção

Barulho baixo

O tamanho da matriz e a superfície fotossensível podem ser personalizados

Alcance do laser

Lidar

Aviso de laser