Série de tubo único PIN de quatro quadrantes

Modelo: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

Pequena descrição:

O dispositivo é composto por quatro fotodiodos PIN de silício com a mesma unidade, trabalhando sob a condição de polarização reversa, a resposta espectral varia de luz visível a infravermelho próximo, o comprimento de onda de resposta de pico é 980nm e a resposta em 1064nm pode atingir até 0,5A /C.

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Parâmetro técnico

CARACTERÍSTICAS

APLICATIVO

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Características fotoelétricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo	GT111	GT112	GD3250Y	GD3249Y	GD3244Y	GD3245Y	GD32413Y	GD32414Y	GD32415Y
forma de pacote	TO-8	TO-8	TO-8	TO-20	TO-31-7	TO-31-7	MBCY026-P6	TO-8	MBCY026-W7W
Tamanho da superfície fotossensível (mm)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5.3	Φ11.3
Faixa de resposta espectral (nm)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1150	400~1150
Comprimento de onda de resposta de pico (nm)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Responsividade λ=1064nm(A/W)	0,3	0,3	0,3	0,3	0,4	0,4	0,4	0,5	0,5
Corrente escura (nA)	5(V_R=40V)	7(V_R=40V)	10(V_R=40V)	15(V_R=40V)	20(V_R=135V)	50(V_R=135V)	40(V_R=135V)	4.8(V_R=140V)	≤20(V_R=180V)
Tempo de subida In = 1064nm RL = 50Ω (ns)	15(V_R=40V)	20(V_R=40V)	25(V_R=40V)	30(V_R=40V)	20(V_R=135V)	30(V_R=135V)	25(V_R=135V)	15(V_R=140V)	20(V_R=180V)
Capacitância de junção f=1MHz(pF)	5(V_R=10V)	7(V_R=10V)	10(V_R=10V)	15(V_R=10V)	10(V_R=135V)	10(V_R=135V)	16(V_R=135V)	4.2(V_R=140V)	10(V_R=180V)
Tensão de ruptura (V)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Baixa corrente escura

Alta capacidade de resposta

Boa consistência de quadrante

Pequeno ponto cego

Dispositivo de mira a laser, rastreamento de orientação e exploração

Microposicionamento a laser, monitoramento de deslocamento e outros sistemas de medição de precisão