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Série de módulos InGaAS-APD

Série de módulos InGaAS-APD

Modelo: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Pequena descrição:

O dispositivo é um módulo de fotodiodo de avalanche InGaAs com um circuito de pré-amplificador embutido, que pode converter o fraco.Depois que o sinal de corrente é amplificado, ele é convertido em uma saída de sinal de tensão para realizar o processo de conversão de "amplificação de sinal óptico-elétrico".


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Parâmetro técnico

CARACTERÍSTICAS

APLICATIVO

Etiquetas de produtos

Características fotoelétricas (@Ta=22±3)

Modelo

GD6510Y

GD6511Y

GD6512Y

forma de pacote

TO-8

TO-8

TO-8

Diâmetro da superfície fotossensível (mm)

0,2

0,5

0,08

Faixa de resposta espectral (nm)

1000~1700

1000~1700

1000~1700

Tensão de ruptura (V)

30~70

30~70

30~70

Responsividade M=10 l=1550nm(kV/W)

340

340

340

Tempo de subida (ns)

5

10

2.3

Largura de banda (MHz)

70

35

150

Potência de ruído equivalente (pW/√Hz)

0,15

0,21

0,11

Coeficiente de temperatura da tensão de trabalho T=-40℃~85℃(V/℃)

0,12

0,12

0,12

Concentricidade (μm)

≤50

≤50

≤50

Modelos alternativos com o mesmo desempenho em todo o mundo

C3059-1550-R2A

/

C3059-1550-R08B

Estrutura de Chip do Plano Frontal

Resposta rápida

Alta sensibilidade do detector

Alcance do laser

Lidar

Aviso de laser


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