Módulos Si PIN de 850 nm

Modelo: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Pequena descrição:

É um módulo de fotodiodo Si PIN de 850nm com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

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Parâmetro técnico

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Recursos

Resposta de alta velocidade
Alta sensibilidade

Formulários

fusível laser

Parâmetro fotoelétrico（@Ta=22±3℃）

Item #	Categoria do pacote	Diâmetro da superfície fotossensível (mm)	Responsividade	tempo de subida (ns)	Faixa dinâmica （dB）	Tensão operacional (V)	Tensão de ruído (mV)	Notas
Item #	Categoria do pacote	Diâmetro da superfície fotossensível (mm)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850nm	Tensão operacional (V)	Tensão de ruído (mV)	Notas
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Ângulo de incidência: 0°, transmitância de 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Notas: A carga de teste do GD4213Y é de 50Ω, as demais são de 1MΩ