Fábrica de PRODUTOS, Fornecedores - Fabricantes de PRODUTOS da China

Módulos InGaAs APD

É um módulo de fotodiodo de avalanche de arseneto de índio e gálio com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraco seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

INVESTIGAÇÃO detalhe
APD de quatro quadrantes

Consiste em quatro unidades iguais de fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 980nm.Responsividade: 40 A/W a 1064 nm.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Módulos APD de quatro quadrantes

Consiste em quatro mesmas unidades de fotodiodo de avalanche de Si com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fóton.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Módulos Si PIN de 850 nm

É um módulo de fotodiodo Si PIN de 850nm com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Fotodiodo Si PIN de 900nm

É o fotodiodo Si PIN que opera sob polarização reversa e fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 930nm.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Fotodiodo Si PIN de 1064nm

É o fotodiodo Si PIN que opera sob polarização reversa e fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 980nm.Responsividade: 0,3 A/W a 1064 nm.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Módulos PIN de fibra Si

O sinal óptico é convertido em sinal de corrente pela entrada de fibra óptica.O módulo Si PIN possui um circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

INVESTIGAÇÃO detalhe
PIN Si de quatro quadrantes

Consiste em quatro unidades iguais de fotodiodo Si PIN que opera em reverso e fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 980nm.Responsividade: 0,5 A/W a 1064 nm.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Módulos Si PIN de quatro quadrantes

Consiste em quatro unidades iguais simples ou duplas de fotodiodo Si PIN com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

INVESTIGAÇÃO detalhe
PIN de Si aprimorado por UV

É um fotodiodo Si PIN com UV aprimorado, que opera em reverso e fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 800 nm.Responsividade: 0,15 A/W a 340 nm.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Laser YAG 1064nm -15mJ-5

É um laser Nd:YAG passivamente Q-switched com comprimento de onda de 1064nm, potência de pico ≥15mJ, taxa de repetição de pulso de 1~5hz (ajustável) e ângulo de divergência ≤8mrad.Além disso, é um laser pequeno e leve capaz de atingir alta produção de energia que pode ser uma fonte de luz ideal de distância de alcance para alguns cenários que possuem requisitos rígidos de volume e peso, como combate individual e aplicação de UAV em alguns cenários.

INVESTIGAÇÃO detalhe
Laser YAG 1064nm-15mJ-20

É um laser Nd：YAG passivamente Q-switched com comprimento de onda de 1064nm, potência de pico ≥15mJ e ângulo de divergência ≤8mrad.Além disso, é um laser pequeno e leve que pode ser uma fonte de luz ideal de longa distância em alta frequência (20 Hz).

INVESTIGAÇÃO detalhe