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905nm APD

905nm APD

Modelo: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ Matriz

Pequena descrição:

É o fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 905nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Parâmetro técnico

Etiquetas de produtos

Recursos

  • Chip plano iluminado frontal
  • Resposta de alta velocidade
  • Alto ganho de APD
  • Baixa capacitância de junção
  • Barulho baixo
  • O tamanho da matriz e a superfície fotossensível podem ser personalizados.

Formulários

  • Alcance do laser
  • radar laser
  • Aviso de laser

Parâmetro fotoelétrico(@Ta=22±3℃)

Item #

Categoria do pacote

Diâmetro da superfície fotossensível (mm)

Faixa de resposta espectral (nm)

 

Comprimento de onda de resposta de pico

(nm)

Responsividade

λ=905nm

φe=1μW

M=100

(A/W)

Tempo de resposta

λ=905nm

RL=50Ω

(ns)

corrente escura

M=100

(n / D)

Coeficiente de temperatura

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

capacitância total

M=100

f=1MHz

(pF)

 

Discriminação

tensão

IR=10μA

(V)

Tipo.

máx.

mín.

máx.

GD5210Y-2-2-TO46

TO-46

0,23

 

 

 

 

 

 

400~1100

 

 

 

 

 

 

 

905

 

 

 

 

55

 

 

 

 

 

 

 

0,6

0,2

1,0

0,9

1,0

130

220

GD5210Y-2-5-TO46

TO-46

0,50

0,4

1,0

1.2

GD5210Y-2-8-TO46

TO-46

0,80

0,8

2.0

2.0

GD5210Y-2-2-LCC3

LCC3

0,23

0,2

1,0

1,0

GD5210Y-2-5-LCC3

LCC3

0,50

0,4

1,0

1.2

GD5210Y-2-2-P

pacote de plástico

0,23

0,2

1,0

1,0

GD5210Y-2-5-P

pacote de plástico

0,50

0,4

1,0

1.2

Variedade

PCB

Personalizado

De acordo com a superfície fotossensível

De acordo com a superfície fotossensível

 

De acordo com a superfície fotossensível

160

200


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