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355nm APD

É um fotodiodo de avalanche de Si com grande superfície fotossensível e UV aprimorado.Ele fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.

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800nm APD

É o fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 800 nm.

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905nm APD

É o fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 905nm.

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1064nm APD

É o fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 1064nm.Responsividade: 36 A/W a 1064 nm.

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Módulos APD 1064nm

É um módulo de fotodiodo Si avalanche aprimorado com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraco seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

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Módulos InGaAs APD

É um módulo de fotodiodo de avalanche de arseneto de índio e gálio com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraco seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

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APD de quatro quadrantes

Consiste em quatro unidades iguais de fotodiodo de avalanche de Si que fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 980nm.Responsividade: 40 A/W a 1064 nm.

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Módulos APD de quatro quadrantes

Consiste em quatro mesmas unidades de fotodiodo de avalanche de Si com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fóton.

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Módulos Si PIN de 850 nm

É um módulo de fotodiodo Si PIN de 850nm com circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

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Fotodiodo Si PIN de 900nm

É o fotodiodo Si PIN que opera sob polarização reversa e fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 930nm.

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Fotodiodo Si PIN de 1064nm

É o fotodiodo Si PIN que opera sob polarização reversa e fornece alta sensibilidade variando de UV a NIR.O comprimento de onda de resposta de pico é 980nm.Responsividade: 0,3 A/W a 1064 nm.

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Módulos PIN de fibra Si

O sinal óptico é convertido em sinal de corrente pela entrada de fibra óptica.O módulo Si PIN possui um circuito de pré-amplificação que permite que o sinal de corrente fraca seja amplificado e convertido em sinal de tensão para alcançar o processo de conversão de amplificação de sinal fotoelétrico de fótons.

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